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NTMD4884NF
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.500
10,000
1.375
1.250
ID = 4 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.125
1.000
0.875
0.750
100
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
350
300
T J = 25 ° C
C iss
10
8
QT
V GS
250
200
6
150
4
Q1
Q2
100
50
0
V GS = 0 V
C oss
C rss
2
0
ID = 4 A
T J = 25 ° C
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
6
100
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
V DD = 15 V
3.0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
10
ID = 1.0 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t d(on)
2.5
2.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
0.1
t r
1.5
1.0
0.5
0
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
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